設(shè)備參數(shù)：設(shè)備型號(hào)：OX-4型設(shè)備尺寸：420*400*650mm設(shè)備功率：500W設(shè)備重量：27kg氧氣產(chǎn)量：≤4L/min氧氣純度：90±5%。安裝方式：落地環(huán)境溫度：溫度0~35度環(huán)境濕度：≤80%輸出壓力：0.15±0.3MPa設(shè)備性能：1 產(chǎn)品使用PSA變壓吸附法，用進(jìn)口沸石為吸附劑，把空氣中的氧氣分離出來，獲得高純度的氧氣。2 設(shè)置兩組制氧單元，自動(dòng)循環(huán)工作，保證氧氣供應(yīng)的連續(xù)性。3 以空氣為原料，輔以過濾、除水，性能高，成本低。4 低壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)，運(yùn)行安全可靠，氧氣隨制隨用。流量可調(diào)。
A：臭氧前驅(qū)體用法：原理、用法與應(yīng)用環(huán)節(jié)臭氧前驅(qū)體則作為活性氧源參與薄膜生長，核心用于原子層沉積（ALD）等薄膜沉積環(huán)節(jié)一、；
Q： 臭氧氧化退火工藝：原理、應(yīng)用環(huán)節(jié)與核心設(shè)備
A：臭氧氧化退火工藝：原理、應(yīng)用環(huán)節(jié)與核心設(shè)備一、原理與用法先利用臭氧強(qiáng)氧化性在低溫下（200-400℃）氧化襯底 / 薄膜；
Q： 從零搭建臭氧實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)：五大核心部件、實(shí)驗(yàn)范例與設(shè)備選型全指南
A：從零搭建臭氧實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)：五大核心部件、實(shí)驗(yàn)范例與設(shè)備選型全指南對(duì)于首次接觸臭氧研究的科研人員或工程師而言，搭建一套安全、可；
Q： 臭氧氣氛提升催化劑載體表面活性研究
A：臭氧氣氛提升催化劑載體表面活性研究一、研究背景與核心價(jià)值1. 行業(yè)痛點(diǎn)：傳統(tǒng)催化劑載體改性依賴高溫處理（通常>50；
Q： 管式爐中臭氧對(duì) SiC / GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體的氧化處理
A：管式爐中臭氧對(duì) SiC / GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體的氧化處理方法適用領(lǐng)域：功率半導(dǎo)體工藝開發(fā)、界面鈍化、器件可靠性與穩(wěn)定；
Q： 臭氧在管式爐 ALD 前驅(qū)體氧化中的應(yīng)用與優(yōu)化流程
A：臭氧在管式爐 ALD 前驅(qū)體氧化中的應(yīng)用與優(yōu)化流程原子層沉積（ALD）技術(shù)因其優(yōu)異的三維共形性、亞納米級(jí)的厚度控制能力，；
Q： 臭氧管式爐生長高質(zhì)量氧化物薄膜的實(shí)驗(yàn)流程與機(jī)理解析
A：介紹臭氧在管式爐中生長高質(zhì)量氧化物薄膜的實(shí)驗(yàn)方法與機(jī)理，包括 O? 輔助生長流程、溫度/濃度/流量參數(shù)、表征方法及安全注；
Q： 臭氧在二維材料（MoS?、h-BN）生長與表面活化中的作用：
A：臭氧在二維材料（MoS?、h-BN）生長與表面活化中的作用：機(jī)理、工藝與表征一、摘要（Abstract）臭氧 (O?) ；
Q： BiFeO?（BFO）薄膜制備——臭氧輔助 MBE 操作規(guī)程；
A：BiFeO?（BFO）薄膜制備——臭氧輔助 MBE 操作規(guī)程（SOP）一、目的利用 高純臭氧/氧混合氣體 在反應(yīng)性分子束
Q： 耐臭氧藥物布洛芬的電過氧化處理：界面反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、影響機(jī)制和降
A：文獻(xiàn)：耐臭氧藥物布洛芬的電過氧化處理：界面反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、影響機(jī)制和降解位點(diǎn)總結(jié) 一、研究基礎(chǔ)與背景1. 布洛芬（IBP）的
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A：Q-ACSM 對(duì)不同氧化態(tài)腔室生成 SOA 的敏感性研究一、研究背景與目的1. 有機(jī)氣溶膠（OA）的重要性與研究挑戰(zhàn)?環(huán)
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A：催化劑在等離子降解VOCs中的作用機(jī)理研究摘要：等離子催化技術(shù)中，Mn基催化劑以其優(yōu)異的催化降解VOCs和臭氧性能受到國
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A：臭氧陶瓷膜曝氣試驗(yàn)裝置材料與檢測方法 1.材料與方法 1.1試劑與儀器 試劑:苯酚、磷酸、磷酸氫二鈉、靛藍(lán)二磺酸鈉、硫代
Q： 吳德禮教授：多羥基亞鐵耦合臭氧同步去除重金屬和有機(jī)物——以C
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